器件3D模型

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1N5225B-T 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

齐纳二极管

封装:

DO-35

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

1N5225B-T 数据手册 (3 页)

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1N5225B-T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

容差

±5 %

封装

DO-35

正向电压

1.1V @200mA

功耗

500 mW

测试电流

20 mA

稳压值

3 V

正向电压(Max)

1.1V @200mA

额定功率(Max)

500 mW

耗散功率(Max)

500 mW

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1N5225B-T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-65℃ ~ 200℃

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1N5225B-T 符合标准

1N5225B-T 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

3 页 / 0.04 MByte

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