器件3D模型

￥ 0

1N5230B-T 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

齐纳二极管

封装:

DO-35

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

1N5230B-T 数据手册 (3 页)

查看文档

或点击图片查看大图

1N5230B-T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

4.70 V

容差

±5 %

封装

DO-35

额定功率

500 mW

正向电压

1.1V @200mA

功耗

500 mW

测试电流

20 mA

稳压值

4.7 V

正向电压(Max)

1.1V @200mA

额定功率(Max)

500 mW

耗散功率(Max)

500 mW

查看数据手册 >

1N5230B-T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Cut Tape (CT)

工作温度

-65℃ ~ 200℃

查看数据手册 >

1N5230B-T 符合标准

1N5230B-T 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

3 页 / 0.04 MByte

1N5230B-T 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

183 页 / 0.63 MByte

1N5230B-T 其他参考文件

Vishay Semiconductor（威世）

1 页 / 0.14 MByte

1N5230 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

1N5230 数据手册

EIC

1N5230 数据手册

Microsemi（美高森美）

硅500 mW的稳压二极管 SILICON 500 mW ZENER DIODES

1N5230 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

1N5230 数据手册

Central Semiconductor

1N5230 数据手册

NXP（恩智浦）

1N5230 数据手册

Sensitron Semiconductor

1N5230 数据手册

Continental Device

1N5230 数据手册

Diodes（美台）

1N5230 数据手册

Fagor Electronica（法格）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号