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1N5232C-TAP
器件3D模型
0.028
1N5232C-TAP 数据手册 (6 页)
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1N5232C-TAP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
容差
±2 %
封装
DO-35
正向电压
1.1V @200mA
功耗
500 mW
额定功率(Max)
500 mW

1N5232C-TAP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Ammo Pack
工作温度
175 ℃

1N5232C-TAP 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.08 MByte

1N5232 数据手册

Microsemi(美高森美)
硅500 mW的稳压二极管 SILICON 500 mW ZENER DIODES
Surge Components
Good-Ark Electronics(固锝)
Zowie Technology(智威)
Semtech Corporation
Honey Technology
ON Semiconductor(安森美)
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  1N5232B.  齐纳二极管
Vishay Semiconductor(威世)
1N5232B 系列 500 mW 5.6 V 5 % 容差 通孔 齐纳二极管 -DO-35
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