器件3D模型

￥ 0.028

1N5250C-TAP 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

齐纳二极管

封装:

DO-35-2

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

1N5250C-TAP 数据手册 (6 页)

封装尺寸在5 页

1N5250C-TAP 数据手册 (6 页)

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1N5250C-TAP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

容差

±2 %

封装

DO-35-2

正向电压

1.1V @200mA

功耗

500 mW

测试电流

6.2 mA

稳压值

20 V

额定功率(Max)

500 mW

工作温度(Max)

200 ℃

工作温度(Min)

65 ℃

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1N5250C-TAP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Ammo Pack

长度

3.9 mm

宽度

1.7 mm

高度

1.7 mm

工作温度

175 ℃

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1N5250C-TAP 符合标准

1N5250C-TAP 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

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