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1N5255C-TAP
器件3D模型
0.028
1N5255C-TAP 数据手册 (6 页)
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1N5255C-TAP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
容差
±2 %
封装
DO-35-2
正向电压
1.1V @200mA
功耗
500 mW
测试电流
4.5 mA
额定功率(Max)
500 mW
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

1N5255C-TAP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Ammo Pack
长度
3.9 mm
宽度
1.7 mm
高度
1.7 mm
工作温度
-65℃ ~ 175℃

1N5255C-TAP 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.08 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
7 页 / 0.11 MByte

1N5255 数据手册

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