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1N5363BE3/TR13
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1N5363BE3/TR13 数据手册 (6 页)
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1N5363BE3/TR13 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
T-18-2
功耗
5 W
测试电流
49 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

1N5363BE3/TR13 数据手册

Microchip(微芯)
6 页 / 0.31 MByte

1N5363BE3 数据手册

Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
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Microchip(微芯)
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
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