1N5908RL4G

￥ 0.046

1N5908RL4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

TVS二极管

封装:

DO-201AD

描述:

ON SEMICONDUCTOR 1N5908RL4G TVS二极管, TVS, MOSORB系列, 单向, 5 V, 8.5 V, DO-204AL, 2 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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1N5908RL4G 数据手册 (5 页)

封装尺寸在5 页

1N5908RL4G 数据手册 (5 页)

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1N5908RL4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

2 Pin

额定电压(DC)

6.20 V

封装

DO-201AD

额定功率

1.50 kW

无卤素状态

Halogen Free

击穿电压

6 V

电路数

1 Circuit

针脚数

2 Position

功耗

5 W

钳位电压

8.5 V

最大反向电压(Vrrm)

5V

测试电流

1 mA

最大反向击穿电压

6 V

脉冲峰值功率

1500 W

最小反向击穿电压

6 V

击穿电压

6 V

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

工作结温

-65℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

1N5908RL4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

9.52 mm

宽度

5.21 mm

高度

5.21 mm

直径

5.30 mm

工作温度

-65℃ ~ 175℃ (TJ)

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1N5908RL4G 符合标准

1N5908RL4G 海关信息

1N5908RL4G 数据手册

1N5908RL4G 数据手册

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1N5908RL4G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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1N5908RL4G 产品设计图

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1N5908RL4G 开发手册

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1N5908RL4G 数据手册

Littelfuse（力特）

1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor

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Z-TEK（力特電子）

1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor

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