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1N6275A
0.29
1N6275A 数据手册 (8 页)
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1N6275A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
15.0 V
封装
DO-201AD
额定功率
1.50 kW
击穿电压
14.3 V
脉冲峰值功率
1500 W
最小反向击穿电压
14.3 V

1N6275A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
长度
9.50 mm
直径
5.30 mm
工作温度
-65℃ ~ 175℃ (TJ)

1N6275A 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.85 MByte

1N6275 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
TRANSZORB®瞬态电压抑制器 TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors
Microsemi(美高森美)
瞬态吸收齐纳UNIDIRECTLOANL和双向 TRANSIENT ABSORPTION ZENER UNIDIRECTLOANL AND BIDIRECTIONAL
Voltage Multipliers
Fagor Electronica(法格)
Diodes(美台)
Edal Industries Inc
Micro Commercial Components(美微科)
Motorola(摩托罗拉)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
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