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1N6377RL4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）
制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
TVS二极管
封装:
DO-201AD
描述:
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
Pictures:
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符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
1N6377RL4G 数据手册 (6 页)
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