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1N6476US
13.73
1N6476US 数据手册 (3 页)
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1N6476US 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
封装
G-MELF
钳位电压
78.5 V
测试电流
1 mA
脉冲峰值功率
1500 W
最小反向击穿电压
54 V
击穿电压
54 V
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

1N6476US 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bag
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

1N6476US 数据手册

Microsemi(美高森美)
3 页 / 0.17 MByte
Microsemi(美高森美)
2 页 / 0.05 MByte
Microsemi(美高森美)
10 页 / 0.12 MByte

1N6476 数据手册

Microsemi(美高森美)
高SUGRE性能为瞬态保护对于大部分关键电路。 HIGH SUGRE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FOR MOST CRITICAL CIRCUITS.
Semtech Corporation
Microchip(微芯)
Microsemi(美高森美)
无空隙,密封的表面贴装单向瞬态抑制器 Voidless-Hermetically-Sealed Surface Mount Unidirectional Transient Suppressors
Semtech Corporation
Microchip(微芯)
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