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1N823AUR-1
4.032
1N823AUR-1 数据手册 (5 页)
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1N823AUR-1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
容差
±5 %
封装
DO-213AA
功耗
500 mW
稳压值
6.2 V
额定功率(Max)
500 mW

1N823AUR-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 175℃

1N823AUR-1 数据手册

Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.23 MByte
Microsemi(美高森美)
9 页 / 0.33 MByte
Microsemi(美高森美)
10 页 / 0.12 MByte

1N823 数据手册

Microsemi(美高森美)
6.2与6.55伏温度补偿齐纳二极管基准二极管 6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
American Power Devices
AMERICAN POWER DEVICES  1N823  单管二极管 齐纳, 6.2 V, 500 mW, DO-204AA, 2 引脚, 200 °C
Microchip(微芯)
稳压二极管 OTC Temperature Compensated Zeners
ON Semiconductor(安森美)
Motorola(摩托罗拉)
Philips(飞利浦)
Vishay Semiconductor(威世)
Good-Ark Electronics(固锝)
ST Microelectronics(意法半导体)
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