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1SMB18A TR13
0.179
1SMB18A TR13 数据手册 (4 页)
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1SMB18A TR13 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
DO-214AA
脉冲峰值功率
600 W
最小反向击穿电压
20 V

1SMB18A TR13 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

1SMB18A TR13 数据手册

Central Semiconductor
4 页 / 0.6 MByte

1SMB18 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  1SMB18AT3G  TVS Diode, TVS, 1SMB Series, Unidirectional, 18 V, 29.2 V, DO-214AA, 2 Pins 新
ON Semiconductor(安森美)
600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
1SMB18AT3 瞬态抑制二极管TVS/ESD 18V 20.5A 3W DO-214AA/SMB-18v 标记LT
ON Semiconductor(安森美)
1SMB18CAT3 瞬态抑制二极管TVS/ESD 18V 20.5A 3W DO-214AA/SMB-18v 标记LTC
Littelfuse(力特)
600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,1SMB 系列(单向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Littelfuse(力特)
600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,1SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Motorola(摩托罗拉)
Central Semiconductor
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