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20108D1C331K5P
器件3D模型
1.143
20108D1C331K5P 数据手册 (3 页)
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20108D1C331K5P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
电容
330 pF
容差
10 %
封装
SIP

20108D1C331K5P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 125℃

20108D1C331K5P 数据手册

Vishay Dale(威世达勒)
3 页 / 0.1 MByte

20108D1C331K5 数据手册

Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Semiconductor(威世)
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