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Datasheet 搜索 > RAM芯片 > Microchip(微芯) > 23K256-I/P Datasheet 文档
23K256-I/P
器件3D模型
1.406
23K256-I/P 数据手册 (28 页)
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23K256-I/P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
20.0 MHz
引脚数
8 Pin
电源电压
2.70V (min)
工作电压
2.7V ~ 3.6V
封装
PDIP-8
针脚数
8 Position
时钟频率
20 MHz
位数
8 Bit
内存容量
4000 B
存取时间(Max)
25 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 3.6V

23K256-I/P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
9.27 mm
宽度
6.35 mm
高度
3.3 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

23K256-I/P 数据手册

Microchip(微芯)
28 页 / 0.57 MByte
Microchip(微芯)
8 页 / 0.1 MByte
Microchip(微芯)
2 页 / 0.1 MByte

23K256 数据手册

Microchip(微芯)
256K SPI总线的低功耗串行SRAM 256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM
Microchip(微芯)
RAM,Microchip### SRAM(静态随机存取存储器)
Microchip(微芯)
23K256 系列 3.6 V 256Kb (32 K x 8) 20 MHz SPI 总线 低功耗 串行 SRAM-SOIC-8
Microchip(微芯)
MICROCHIP  23K256-I/P  芯片, SRAM, 串口, 256K, 2.7V, PDIP8
Microchip(微芯)
RAM,Microchip### SRAM(静态随机存取存储器)
Microchip(微芯)
256K SPI总线的低功耗串行SRAM 256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM
Microchip(微芯)
RAM,Microchip### SRAM(静态随机存取存储器)
Microchip(微芯)
RAM,Microchip### SRAM(静态随机存取存储器)
Microchip(微芯)
256K SPI总线的低功耗串行SRAM 256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM
Microchip(微芯)
256K SPI总线的低功耗串行SRAM 256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM
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