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Datasheet 搜索 > EEPROM芯片 > Microchip(微芯) > 24LC08B-I/P Datasheet 文档
24LC08B-I/P
器件3D模型
0.458
24LC08B-I/P 数据手册 (40 页)
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24LC08B-I/P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
0.4 MHz
引脚数
8 Pin
电源电压
5.00 V, 5.50 V (max)
工作电压
2.5V ~ 5.5V
封装
PDIP-8
供电电流
3 mA
针脚数
8 Position
时钟频率
400 kHz
存取时间
5 ms
内存容量
1000 B
输入电容
10 pF
上升时间
300 ns
下降时间
300 ns
存取时间(Max)
900 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.5V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
2.5 V

24LC08B-I/P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
9.27 mm
宽度
6.35 mm
高度
3.3 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

24LC08B-I/P 数据手册

Microchip(微芯)
40 页 / 1.07 MByte
Microchip(微芯)
8 页 / 0.1 MByte
Microchip(微芯)
48 页 / 1.05 MByte
Microchip(微芯)
14 页 / 0.25 MByte
Microchip(微芯)
2 页 / 0.1 MByte
Microchip(微芯)
1 页 / 0.11 MByte

24LC08 数据手册

ATMEL(爱特美尔)
Microchip(微芯)
MICROCHIP  24LC08BT-I/OT  EEPROM, AEC-Q100, 8 Kbit, 4 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, SOT-23, 5 引脚
Microchip(微芯)
MICROCHIP  24LC08B-I/SN  EEPROM, AEC-Q100, 8 Kbit, 4 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, SOIC, 8 引脚
Microchip(微芯)
24LC08 系列 8 Kb I2C 双线 (1K X 8) 2.5 V 串行 EEPROM SMT - SOIC-8
Microchip(微芯)
MICROCHIP  24LC08B/P  EEPROM, AEC-Q100, 8 Kbit, 4 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, DIP, 8 引脚
Microchip(微芯)
MICROCHIP  24LC08B-I/P  EEPROM, AEC-Q100, 8 Kbit, 4 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, DIP, 8 引脚
Microchip(微芯)
MICROCHIP  24LC08B/SN  EEPROM, AEC-Q100, 8 Kbit, 4 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, SOIC, 8 引脚
Microchip(微芯)
MICROCHIP  24LC08B-I/MS  EEPROM, AEC-Q100, 8 Kbit, 4 BLK (256K x 8位), 400 kHz, I2C, MSOP, 8 引脚
Microchip(微芯)
MSOP-8-卷盘 8K 1KX8
Microchip(微芯)
24AA08/24LC08B I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 24AA08/24LC08B 系列设备 8 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。### 特点单电源,操作降低至 1.7V(24AA08 设备),2.5V(24LC08B 设备) 低功率 CMOS 技术:读取电流 1 mA(最大),待机电流 1 μA(最大) 2 线串行接口,I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3 ms(典型) 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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