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25C080/SN
器件3D模型
1.14
25C080/SN 数据手册 (22 页)
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25C080/SN 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
3.00 MHz
引脚数
8 Pin
电源电压
5.00 V, 5.50 V (max)
工作电压
4.5V ~ 5.5V
封装
SOIC-8
时钟频率
3.00 MHz
存取时间
30 ns
内存容量
1000 B
输入电容
7 pF
上升时间
2 μs
下降时间
2 μs
存取时间(Max)
150 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-25 ℃
电源电压
4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
4.5 V

25C080/SN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.55 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃

25C080/SN 数据手册

Microchip(微芯)
22 页 / 0.29 MByte
Microchip(微芯)
34 页 / 0.15 MByte
Microchip(微芯)
2 页 / 0.1 MByte
Microchip(微芯)
1 页 / 0.11 MByte

25C080 数据手册

Microchip(微芯)
8K SPI TM总线串行EEPROM 8K SPI TM Bus Serial EEPROM
Microchip(微芯)
25C080 系列 8 Kb (1 K x 8) 5.5 V 表面贴装 SPI™ 总线 串行 EEPROM - SOIC-8
Microchip(微芯)
25AA080/25C080/25LC080 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA080/25C080/25LC080 系列设备为 8K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 (HOLD) 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点最大写入电流 3 mA 读取电流:500 μA(典型) 待机电流:500 nA(典型) 1024 x 8 位组织 16 字节页面 自定时擦除和写入周期,5ms(最大) 块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性:>1M 擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip(微芯)
25AA080/25C080/25LC080 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA080/25C080/25LC080 系列设备为 8K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 (HOLD) 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点最大写入电流 3 mA 读取电流:500 μA(典型) 待机电流:500 nA(典型) 1024 x 8 位组织 16 字节页面 自定时擦除和写入周期,5ms(最大) 块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性:>1M 擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip(微芯)
25C080系列 4.5V至5.5V 3MHz 8Kb SPI总线 串行电可擦除PROM-SOIC-8
Microchip(微芯)
Microchip(微芯)
25C080系列 8Kb (1Kx8) 5V SO-8 串行 SPI总线 电可擦除
Microchip(微芯)
电可擦除可编程只读存储器 1kx8 - 5V
Microchip(微芯)
8K SPI TM总线串行EEPROM 8K SPI TM Bus Serial EEPROM
Microchip(微芯)
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