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293D475X9025B2TE3
0.061
293D475X9025B2TE3 数据手册 (23 页)
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293D475X9025B2TE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
200 kV
电容
4.7 µF
等效串联电阻(ESR)
2.8 Ω
容差
±10 %
封装(公制)
3528
封装
1411
纹波电流
0.12 A
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
额定电压
25 V

293D475X9025B2TE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
3.5 mm
宽度
2.8 mm
高度
1.9 mm
介质材料
Tantalum
工作温度
-55℃ ~ 125℃

293D475X9025B2TE3 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
23 页 / 0.57 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.21 MByte

293D475X9025B2 数据手册

VISHAY(威世)
10%精度,25V,4.7uF,表面贴装钽电容,B型
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  293D475X9025B2TE3  表面贴装钽电容, TANTAMOUNT®, 293D系列, 4.7 µF, ± 10%, 25 V, 1411 [3528 公制], B
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Dale(威世达勒)
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