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293D475X9035C2TE3
0.106
293D475X9035C2TE3 数据手册 (23 页)
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293D475X9035C2TE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
300 kV
电容
4.7 µF
等效串联电阻(ESR)
1.9 Ω
容差
±10 %
封装(公制)
6032
封装
2312
Q值
6.0
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
额定电压
35 V

293D475X9035C2TE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
6 mm
宽度
3.2 mm
高度
2.5 mm
介质材料
Tantalum
工作温度
-55℃ ~ 125℃

293D475X9035C2TE3 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
23 页 / 0.57 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
12 页 / 0.11 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.21 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
51 页 / 0.88 MByte

293D475X9035C2 数据手册

VISHAY(威世)
10%精度,35V,4.7uF,表面贴装钽电容,C型
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  293D475X9035C2TE3  表面贴装钽电容, TANTAMOUNT®, 293D系列, 4.7 µF, ± 10%, 35 V, 2312 [6032 公制], C
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
293D 系列 2312 4.7 uF ±10 % 35 V 表面贴装 标准 模压 钽电容
Vishay Semiconductor(威世)
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