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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > Infineon(英飞凌) > 2ED020I12-FI Datasheet 文档
2ED020I12-FI
1.666
2ED020I12-FI 数据手册 (22 页)
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2ED020I12-FI 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
18 Pin
电源电压
14.0V (min)
封装
PG-DSO-18
输出接口数
2 Output
输出电压
14.18 V
输出电流
1 A
通道数
1 Channel
针脚数
18 Position
上升时间
20 ns
下降时间(Max)
35 ns
上升时间(Max)
40 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
14.18 V
电源电压(Max)
18 V
电源电压(Min)
14 V

2ED020I12-FI 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
12.8 mm
宽度
7.6 mm
高度
2.45 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

2ED020I12-FI 数据手册

Infineon(英飞凌)
22 页 / 0.66 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
17 页 / 0.71 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

2ED020I12 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  2ED020I12-FI  芯片, IGBT驱动器, 双路, PG-DSO-18-2
Infineon(英飞凌)
Infineon 2ED020I12FIXUMA1 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, -1A, 14 → 18 V电源, 18引脚 SOIC封装
Infineon(英飞凌)
1200V双通道隔离型IGBT驱动器
Infineon(英飞凌)
IGBT驱动器, 半桥, 2A, 4.5V至5.5V电源, 30ns/50ns延迟, SOIC-36
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
IGBT驱动器, 高压侧与低压侧, 2A, 4.5V至5.5V电源, 30ns/50ns延迟, SOIC-36
Infineon(英飞凌)
IGBT驱动器
Infineon(英飞凌)
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