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2EDL05N06PFXUMA1
器件3D模型
0.758
2EDL05N06PFXUMA1 数据手册 (22 页)
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2EDL05N06PFXUMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
48ns, 24ns
输出接口数
2 Output
针脚数
8 Position
功耗
600 mW
上升时间
80 ns
输入偏置电流
60 µA
下降时间
40 ns
下降时间(Max)
30 ns
上升时间(Max)
80 ns
工作温度(Max)
95 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
600 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
17.5 V
电源电压(Min)
10 V

2EDL05N06PFXUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.65 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

2EDL05N06PFXUMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
22 页 / 0.99 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
41 页 / 8.33 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 1.91 MByte

2EDL05N06 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  2EDL05N06PFXUMA1  MOSFET Driver, 10V-17.5V supply, 500 mA output, DSO-8 新
Infineon(英飞凌)
EiceDRIVER 紧凑型半桥栅极驱动器 IC,Infineon**EiceDRIVER**™ **2EDL** 是紧凑型 600V 半桥驱动器系列,可提供电流,以启用和禁用电源设备以及提供隔离。 EDL 增强系列具有过压保护、主动关闭,可在消费及家用电器中使用。 Infineon **EiceDRIVER** 2EDL 系列基于电平移位器绝缘硅技术 (SOI),该技术控制 MOS 晶体管并包含限幅二极管。过电流比较器 启用功能,故障指示器 单独控制电路 欠压电源过滤检测 离线格栅夹紧功能 不对称欠压锁定 超快限幅二极管 ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  2EDL05N06PJXUMA1  芯片, 场效应管, MOSFET门驱动器, 半桥接器, SSOP-14 新
Infineon(英飞凌)
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