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2N1711 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-5-3

描述:

外延平面NPN EPITAXIAL PLANAR NPN

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N1711 数据手册 (4 页)

原理图在1 页

2N1711 数据手册 (4 页)

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2N1711 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

70 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

75.0 V

额定电流

500 mA

封装

TO-5-3

极性

NPN

功耗

0.8 W

集电极击穿电压

75.0 V

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

最小电流放大倍数

35 @100mA, 10V

最大电流放大倍数

100

额定功率(Max)

800 mW

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

800 mW

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2N1711 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

9.4 mm

宽度

9.4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

175℃ (TJ)

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2N1711 符合标准

2N1711 概述

2N1711 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.04 MByte

2N1711 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.16 MByte

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