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2N2219A
5.261
2N2219A 数据手册 (4 页)
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2N2219A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-39-3
功耗
800 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
额定功率(Max)
800 mW
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
800 mW

2N2219A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bag
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 200℃ (TJ)

2N2219A 数据手册

Microsemi(美高森美)
4 页 / 0.15 MByte

2N2219 数据手册

Central Semiconductor
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Ampl/Switch
Microsemi(美高森美)
NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
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