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2N2905AL
4.891
2N2905AL 数据手册 (7 页)
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2N2905AL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-5
功耗
0.6 W
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
额定功率(Max)
800 mW
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
600 mW

2N2905AL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

2N2905AL 数据手册

Microsemi(美高森美)
7 页 / 0.63 MByte
Microsemi(美高森美)
4 页 / 0.09 MByte

2N2905 数据手册

Motorola(摩托罗拉)
Microsemi(美高森美)
PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
Multicomp
MULTICOMP  2N2905  单晶体管 双极, 高速开关, PNP, 40 V, 200 MHz, 3 W, 600 mA, 100 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
一般通用放大器和开关 GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES
Central Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
Raytheon(雷神)
Micro Electronics
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