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2N2906AL
12.4
2N2906AL 数据手册 (6 页)
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2N2906AL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-18-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
40 @150mA, 10V
额定功率(Max)
500 mW

2N2906AL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

2N2906AL 数据手册

Microsemi(美高森美)
6 页 / 0.09 MByte

2N2906 数据手册

Central Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
Semicoa Semiconductor
Raytheon(雷神)
Multicomp
MULTICOMP  2N2906A  单晶体管 双极, PNP, 60 V, 400 mW, 600 mA, 40 hFE
Microsemi(美高森美)
抗辐射 RADIATION HARDENED
ST Microelectronics(意法半导体)
Microsemi(美高森美)
抗辐射 RADIATION HARDENED
Microsemi(美高森美)
抗辐射 RADIATION HARDENED
Microsemi(美高森美)
抗辐射 RADIATION HARDENED
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