2N3019

￥ 10.367

2N3019 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-5-3

描述:

低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2N3019 数据手册 (6 页)

封装尺寸在2 页 6 页

2N3019 数据手册 (6 页)

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2N3019 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-5-3

功耗

0.8 W

击穿电压(集电极-发射极)

80 V

最小电流放大倍数

50 @500mA, 10V

最大电流放大倍数

300

额定功率(Max)

800 mW

工作温度(Max)

200 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

800 mW

查看数据手册 >

2N3019 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

材质

Silicon

工作温度

-65℃ ~ 200℃ (TJ)

查看数据手册 >

2N3019 符合标准

2N3019 海关信息

2N3019 数据手册

2N3019 数据手册

Microsemi（美高森美）

6 页 / 0.26 MByte

2N3019 其他数据使用手册

Microsemi（美高森美）

8 页 / 0.26 MByte

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