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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Micro Commercial Components(美微科) > 2N3906-AP Datasheet 文档
2N3906-AP
0.011
2N3906-AP 数据手册 (11 页)
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2N3906-AP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
250 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-40.0 V
额定电流
-100 mA
封装
TO-226-3
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
600 mW
上升时间
35 ns
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
最小电流放大倍数
100 @10mA, 1V
额定功率(Max)
600 mW
直流电流增益(hFE)
30
下降时间
75 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
600 mW

2N3906-AP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT), Tape & Box (TB)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2N3906-AP 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
11 页 / 0.3 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
5 页 / 0.29 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
1 页 / 0.13 MByte

2N3906 数据手册

CJ(长电科技)
2N3906 Y档(200-300) 袋装
ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管 General Purpose Transistors
ST Microelectronics(意法半导体)
小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR
Multicomp
MULTICOMP  2N3906  单晶体管 双极, 高速开关, PNP, 40 V, 250 MHz, 625 mW, 200 mA, 100 hFE
Diotec Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier
NTE Electronics
NTE ELECTRONICS  2N3906  射频双极性晶体管
先科ST(先科)
二极管与整流器
Central Semiconductor
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