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2N4123
0.2
2N4123 数据手册 (3 页)
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2N4123 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-226-3
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
最小电流放大倍数
50 @2mA, 10V
额定功率(Max)
1.5 W
耗散功率(Max)
1.5 W

2N4123 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

2N4123 数据手册

Central Semiconductor
3 页 / 0.32 MByte
Central Semiconductor
1 页 / 0.07 MByte
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