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2N4123-AP
0.017
2N4123-AP 数据手册 (6 页)
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2N4123-AP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-92
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.2A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625 mW

2N4123-AP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
End of Life
材质
Silicon

2N4123-AP 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
6 页 / 0.36 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
6 页 / 0.26 MByte

2N4123 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon
Central Semiconductor
2N4123 系列 1.5 W 30 V 200 mA NPN 硅 晶体管 - TO-92
NTE Electronics
ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Micro Commercial Components(美微科)
Fairchild(飞兆/仙童)
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