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2N4392-E3
3.856
2N4392-E3 数据手册 (7 页)
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2N4392-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电流
50.0 mA
封装
TO-206
击穿电压
-55.0 V
漏源极电阻
60 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.8 W
栅源击穿电压
-40.0 V
连续漏极电流(Ids)
25.0 mA
击穿电压
40 V
输入电容值(Ciss)
14pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
1.8 W
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

2N4392-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

2N4392-E3 数据手册

Vishay Siliconix
7 页 / 0.05 MByte
Vishay Siliconix
7 页 / 0.07 MByte

2N4392 数据手册

Central Semiconductor
2N 系列 40 V 75 mA N 沟道 结型场效应晶体管 - TO-18
Vishay Siliconix
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Vishay Semiconductor(威世)
N沟道JFET的 N-Channel JFETs
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