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2N4392-E3
3.624
2N4392-E3 数据手册 (6 页)
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2N4392-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-206
漏源极电阻
60 Ω
功耗
1800 mW
击穿电压
40 V
输入电容值(Ciss)
14pF @20V(Vds)
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1800 mW

2N4392-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
高度
5.33 mm

2N4392-E3 数据手册

VISHAY(威世)
6 页 / 0.05 MByte
VISHAY(威世)
6 页 / 0.05 MByte

2N4392 数据手册

Central Semiconductor
2N 系列 40 V 75 mA N 沟道 结型场效应晶体管 - TO-18
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