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2N4393-E3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

JFET晶体管

封装:

TO-206

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2N4393-E3 数据手册 (7 页)

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2N4393-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-206

漏源极电阻

100 Ω

功耗

1800 mW

输入电容

3.5 pF

击穿电压

40 V

输入电容值(Ciss)

14pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

1.8 W

工作温度(Max)

200 ℃

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2N4393-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

-65℃ ~ 200℃ (TJ)

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2N4393-E3 符合标准

2N4393-E3 数据手册

Vishay Siliconix

7 页 / 0.05 MByte

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