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2N5087BU
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2N5087BU 数据手册 (9 页)
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2N5087BU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-100 mA
封装
TO-92-3
极性
PNP
功耗
625 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
250 @100µA, 5V
最大电流放大倍数
500
额定功率(Max)
625 mW
直流电流增益(hFE)
250
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

2N5087BU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2N5087BU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.09 MByte

2N5087 数据手册

Central Semiconductor
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晶体管放大器 Amplifier Transistor
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CJ(长电科技)
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TI(德州仪器)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
Micro Electronics
Samsung(三星)
Advanced Semiconductor
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