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2N5191G
0.381
2N5191G 数据手册 (9 页)
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2N5191G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
2 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
4.00 A
封装
TO-126-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
40 W
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
25 @1.5A, 2V
最大电流放大倍数
100
额定功率(Max)
40 W
直流电流增益(hFE)
2
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
40000 mW

2N5191G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

2N5191G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 1.83 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

2N5191 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
中功率NPN硅晶体管 MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS
ON Semiconductor(安森美)
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