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2N5192 SL H
0.486
2N5192 SL H 数据手册 (4 页)
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2N5192 SL H 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-126-3
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
最小电流放大倍数
20 @1.5A, 2V
额定功率(Max)
40 W

2N5192 SL H 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

2N5192 SL H 数据手册

Central Semiconductor
4 页 / 0.47 MByte
Central Semiconductor
4 页 / 0.48 MByte

2N5192 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  2N5192  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 40 W, 4 A, 80 hFE
ON Semiconductor(安森美)
功率晶体管硅NPN POWER TRANSISTORS SILICON NPN
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