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2N5210RLRA
0.04
2N5210RLRA 数据手册 (8 页)
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2N5210RLRA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-92-3
极性
NPN
功耗
350 mW
增益频宽积
30 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.05A
最小电流放大倍数
200
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

2N5210RLRA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
4.7 mm

2N5210RLRA 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.18 MByte

2N5210 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管( NPN硅) Amplifier Transistors(NPN Silicon)
Central Semiconductor
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
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NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier
Motorola(摩托罗拉)
NTE Electronics
NTE ELECTRONICS  2N5210  晶体管, NPN, 50V
Samsung(三星)
Micro Electronics
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