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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ST Microelectronics(意法半导体) > 2N5416 Datasheet 文档
2N5416
4.139

2N5416 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
50 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-350 V
额定电流
-1.00 A
封装
TO-39
额定功率
10 W
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
10 W
击穿电压(集电极-发射极)
300 V
最小电流放大倍数
30 @50mA, 10V
额定功率(Max)
1 W
直流电流增益(hFE)
30
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW

2N5416 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Bag
材质
Silicon
宽度
9.4 mm
工作温度
-65℃ ~ 200℃

2N5416 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.03 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.06 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte
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