2N5457

￥ 2.184

2N5457 数据手册 - Central Semiconductor

制造商:

Central Semiconductor

分类:

JFET晶体管

封装:

TO-226-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2N5457 数据手册 (5 页)

封装尺寸在5 页

2N5457 数据手册 (5 页)

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2N5457 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-226-3

极性

N-Channel

功耗

310 mW

漏源极电压(Vds)

25 V

栅源击穿电压

25.0 V

连续漏极电流(Ids)

10.0 mA

击穿电压

25 V

输入电容值(Ciss)

7pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

310 mW

耗散功率(Max)

310 mW

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2N5457 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

2N5457 符合标准

2N5457 数据手册

2N5457 数据手册

Central Semiconductor

5 页 / 0.13 MByte

2N5457 其他数据使用手册

Central Semiconductor

3 页 / 0.39 MByte

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