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2N5461RLRA
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2N5461RLRA 数据手册 (5 页)
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2N5461RLRA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-40.0 V
额定电流
-10.0 mA
封装
TO-92-3
极性
P-Channel
输入电容
7.00 pF
漏源极电压(Vds)
40.0 V
栅源击穿电压
40 V
击穿电压
40 V
输入电容值(Ciss)
7pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
350 mW

2N5461RLRA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65℃ ~ 135℃ (TJ)

2N5461RLRA 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte

2N5461 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
JFET放大器P沟道 - 耗尽 JFET Amplifier P−Channel − Depletion
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道通用放大器 P-Channel General Purpose Amplifier
Motorola(摩托罗拉)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
National Semiconductor(美国国家半导体)
Intersil(英特矽尔)
N沟道JFET N-CHANNEL JFET
Central Semiconductor
TI(德州仪器)
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