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2N5550TAR
0.053
2N5550TAR 数据手册 (10 页)
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2N5550TAR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-92-3
功耗
0.625 W
击穿电压(集电极-发射极)
140 V
最小电流放大倍数
60 @10mA, 5V
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625 mW

2N5550TAR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
材质
Silicon
工作温度
150℃ (TJ)

2N5550TAR 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 1.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte

2N5550 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管 Amplifier Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
晶体管放大器 Amplifier Transistor
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) 2N5550 TO-92 60-250
Central Semiconductor
Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
NPN型高压晶体管 NPN high-voltage transistors
Motorola(摩托罗拉)
Diotec Semiconductor
Samsung(三星)
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