￥ 0.022

2N5551G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-92-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR 2N5551G 单晶体管双极, 通用, NPN, 160 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N5551G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

2N5551G 数据手册 (6 页)

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2N5551G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

300 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

160 V

额定电流

600 mA

封装

TO-92-3

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

625 mW

击穿电压(集电极-发射极)

160 V

热阻

83.3℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流

0.6A

最小电流放大倍数

80 @10mA, 5V

额定功率(Max)

625 mW

直流电流增益(hFE)

100

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

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2N5551G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

材质

Silicon

长度

5.2 mm

宽度

4.19 mm

高度

5.33 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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2N5551G 符合标准

2N5551G 海关信息

2N5551G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.08 MByte

2N5551G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.39 MByte

2N5551G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.05 MByte

2N5551G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.34 MByte

2N5551G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.07 MByte

2N5551G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.16 MByte

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