￥ 0.06

2N5551RL1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-92-3

描述:

放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2N5551RL1G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

2N5551RL1G 数据手册 (6 页)

查看文档

或点击图片查看大图

2N5551RL1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

300 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

160 V

额定电流

600 mA

封装

TO-92-3

极性

NPN

功耗

625 mW

增益频宽积

300 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

160 V

集电极最大允许电流

0.6A

最小电流放大倍数

80 @10mA, 5V

额定功率(Max)

625 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

查看数据手册 >

2N5551RL1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

5.2 mm

宽度

4.19 mm

高度

5.33 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

2N5551RL1G 符合标准

2N5551RL1G 海关信息

2N5551RL1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.08 MByte

2N5551RL1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.39 MByte

2N5551RL1G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.05 MByte

2N5551RL1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.34 MByte

2N5551RL1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

放大器晶体管 Amplifier Transistors

2N5551RL1 数据手册

Motorola（摩托罗拉）

2N5551RL1 数据手册

DAYA

2N5551RL1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号