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2N6027G
0.029
2N6027G 数据手册 (6 页)
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2N6027G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
150 mA
封装
TO-226-3
额定功率
350 mW
输出电压
11 V
功耗
300 mW
热阻
200℃/W (RθJA)
工作温度(Max)
100 ℃
工作温度(Min)
-50 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

2N6027G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-50℃ ~ 100℃

2N6027G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.16 MByte

2N6027 数据手册

Central Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
可编程单结晶体管 Programmable Unijunction Transistor
Motorola(摩托罗拉)
UTC(友顺)
NXP(恩智浦)
Micro Electronics
Yageo(国巨)
Intersil(英特矽尔)
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