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2N6284G
4.271
2N6284G 数据手册 (7 页)
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2N6284G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
20.0 A
封装
TO-204-2
输出电压
100 V
输出电流
20 A
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
160 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
20A
最小电流放大倍数
750 @10A, 3V
最大电流放大倍数
18000
额定功率(Max)
160 W
直流电流增益(hFE)
100
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
160000 mW
输入电压
5 V

2N6284G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
长度
39.37 mm
宽度
26.67 mm
高度
8.51 mm
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

2N6284G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
134 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.16 MByte

2N6284 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  2N6284  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, 750 hFE
ON Semiconductor(安森美)
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Motorola(摩托罗拉)
Microchip(微芯)
Microsemi(美高森美)
NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
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