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2N6287G
0.399
2N6287G 数据手册 (7 页)
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2N6287G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-20.0 A
封装
TO-204-2
输出电压
100 V
输出电流
20 A
针脚数
2 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
160 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
20A
最小电流放大倍数
750 @10A, 3V
最大电流放大倍数
18000
额定功率(Max)
160 W
直流电流增益(hFE)
100
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
160000 mW
输入电压
5 V

2N6287G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
长度
39.37 mm
宽度
26.67 mm
高度
8.51 mm
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

2N6287G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
134 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.03 MByte

2N6287 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  2N6287  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 160 W, -20 A, 750 hFE
ON Semiconductor(安森美)
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Microsemi(美高森美)
PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
Motorola(摩托罗拉)
Microchip(微芯)
NTE Electronics
Central Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
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