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2N6341G
0.417
2N6341G 数据手册 (5 页)
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2N6341G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
40 MHz
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
150 V
额定电流
25.0 A
封装
TO-204-2
针脚数
2 Position
极性
NPN
功耗
200 W
击穿电压(集电极-发射极)
150 V
集电极最大允许电流
25A
最小电流放大倍数
30 @10A, 2V
最大电流放大倍数
120
额定功率(Max)
200 W
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
200000 mW

2N6341G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
材质
Silicon
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

2N6341G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.18 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.03 MByte

2N6341 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors
Microsemi(美高森美)
NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
Multicomp
MULTICOMP  2N6341  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 40 MHz, 200 W, 25 A, 120 hFE
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