2N6351

￥ 174.483

2N6351 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

封装:

TO-33

描述:

NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2N6351 数据手册 (2 页)

2N6351 数据手册 (2 页)

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2N6351 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

封装

TO-33

极性

NPN

功耗

1000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

150 V

集电极最大允许电流

5A

工作温度(Max)

200 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1000 mW

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2N6351 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Bulk

查看数据手册 >

2N6351 符合标准

2N6351 海关信息

2N6351 数据手册

2N6351 数据手册

Microsemi（美高森美）

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