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2N6488G
0.597
2N6488G 数据手册 (7 页)
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2N6488G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
5 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
15.0 A
封装
TO-220-3
额定功率
1.8 W
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
40 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
热阻
1.67℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
20 @5A, 4V
最大电流放大倍数
150
额定功率(Max)
1.8 W
直流电流增益(hFE)
5
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1.8 W

2N6488G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.28 mm
宽度
4.82 mm
高度
9.28 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

2N6488G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.02 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

2N6488 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Central Semiconductor
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 90Vcbo 80Vceo 5.0V 15A 5.0A 75W
NTE Electronics
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互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
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