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2N6517BU
0.066
2N6517BU 数据手册 (7 页)
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2N6517BU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-92-3
针脚数
3 Position
功耗
1.5 W
击穿电压(集电极-发射极)
350 V
最小电流放大倍数
20 @50mA, 10V
额定功率(Max)
625 mW
直流电流增益(hFE)
15
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625 mW

2N6517BU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bag
材质
Silicon
长度
4.58 mm
宽度
3.86 mm
高度
4.58 mm
工作温度
150℃ (TJ)

2N6517BU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.18 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte

2N6517 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高电压晶体管 High Voltage Transistors
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) 2N6517 TO-92 30-200
Samsung(三星)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Central Semiconductor
2N6517 系列 350 V 625 mW 高压 硅 晶体管 - TO-92
Motorola(摩托罗拉)
Micro Commercial Components(美微科)
Diodes(美台)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Continental Device
Vishay Semiconductor(威世)
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