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2N6517RLRA
0.109
2N6517RLRA 数据手册 (8 页)
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2N6517RLRA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
350 V
额定电流
500 mA
封装
TO-92-3
极性
NPN
功耗
625 mW
增益频宽积
200 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
350 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
20 @50mA, 10V
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

2N6517RLRA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2N6517RLRA 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte

2N6517 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高电压晶体管 High Voltage Transistors
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) 2N6517 TO-92 30-200
Samsung(三星)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Central Semiconductor
2N6517 系列 350 V 625 mW 高压 硅 晶体管 - TO-92
Motorola(摩托罗拉)
Micro Commercial Components(美微科)
Diodes(美台)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Continental Device
Vishay Semiconductor(威世)
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