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2N6520RLRA
3.613
2N6520RLRA 数据手册 (8 页)
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2N6520RLRA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-350 V
额定电流
-500 mA
封装
TO-92-3
极性
PNP
功耗
625 mW
击穿电压(集电极-发射极)
350 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
20 @50mA, 10V
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625 mW

2N6520RLRA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2N6520RLRA 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte

2N6520 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高电压晶体管 High Voltage Transistors
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) 2N6520 TO-92 30-200
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
Central Semiconductor
Samsung(三星)
Micro Commercial Components(美微科)
Continental Device
Diodes(美台)
Motorola(摩托罗拉)
Hi-Sincerity(华昕科技)
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